NOR与NAND闪存比较

 

 

NOR FLASH

NAND FLASH

OneNand FLASH

地址线和数据线分开,接口时序同SRAM,易使用

地址/数据线复用，数据位较窄

 

 

 

OneNAND可看作NOR和NAND技术的一种混合。从本质上来讲，一个单独的OneNAND芯片集成了一个NOR闪存接口，NAND闪存控制器逻辑、一个NAND闪存阵列，以及高达5 KB的缓冲RAM。

 

 

 OneNAND具备NOR和NAND的优点， 它能胜任代码和海量数据存储，同时效率更高。

读写单位

以“字”为基本单位

以“块”为基本单位, 要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块

读取速度

快

较慢

擦除速度

慢，以64-128KB的块为单位

快，以8－32KB的块为单位

写入速度

慢(因为一般要先擦除)

快

存取方式

随机存取速度较快，支持XIP(eXecute In Place，芯片内执行，应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中)。

顺序读取速度较快，随机存取速度慢

单片容量

较小，1－32MB

较大，8－128MB，提高了单元密度

 

应用场合

适用于代码存储，在嵌入式系统中，常用于存放引导程序、根文件系统等。

适用于数据存储(如大容量的多媒体应用)。在嵌入式系统中，常用于存放用户文件系统等。

 

共性

先擦后写(先将芯片中对应的内容清空，然后再写入)

 

参考：

http://hi.baidu.com/haozhongtao/blog/item/2ad71e251d75b52cd5074253.html

http://hi.baidu.com/hannongy/blog/item/f3f3410874ed29c83ac763c2.html