场效应管
来源：互联网 发布：文件档案管理系统软件 编辑：程序博客网 时间：2024/06/10 18:56
结型场效应管
1. N沟道结型场效应管恒流区iD 的近似表达式
iD=IDSS(1−uGSUGS(off))2(UGS(off)<uGS<0)(1)*IDSS耗尽型场效应管UGS=0时的漏极电流
P沟道结型场效应管的公式和N沟道类似，注意
2. N沟道增强型MOS管恒流区iD 的近似表达式
iD=IDO(uGSUGS(th)−1)2(2)∗其中IDO是uGS=2UGS(th)时的iD
P沟道和N沟道的
应用中要考虑体二极管
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