CMOS 工艺
来源:互联网 发布:股票账户分析软件 编辑:程序博客网 时间:2024/06/11 23:47
CMOS工艺流程
CMOS有P阱与N阱两种,N阱的比P阱的CMOS性能好,下面介绍的首先就是制作N阱CMOS电路版图的8步工艺流程。因每一步要用到一块掩膜版进行光刻,所以也叫8版工艺流程。在实际生产中,每一步要牵涉光刻以外的一些工艺,但对设计者而言,任务仅仅是制作用于光刻制版的掩膜。
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以上就是N阱CMOS工艺流程,共8步
以下分别是N阱CMOS反相器的电路表示(circuit representation)图, (左上)、制作此反相器所设计的版图(Layout,右),以及工艺全部完成后所得产品的3D剖面示意图(3D cross section, 左下)
【对以上右边的Layout图的说明】
画着灰色方格的底图可代表p型衬底,在其上需要用各种掩膜依次作8次光刻:
1:紫色最大块:N阱(n-type well),用来光刻右上3D剖面图中最下面的一块区域;
2:橘色+绿色:p+和n+扩散(diff),用于制作两种晶体管的有源区(Wp、Wn为阱宽度),
3:红色横条连最长竖条:多晶硅(poly),连接到反相器输入端IN和两晶体管栅极(Lp、Ln为多晶硅长度),
4:蓝色:金属(metal),制作PMOS晶体管源栅漏(?),
5:蓝色:同上,制作NMOS晶体管源栅漏,连接到输出端OUT、漏VDD及地GND
6:灰色打x和画有口的为接触点(contact)分别使金属与p或n扩散相连
7:作金属掩膜,并刻出要外联的点到引线脚(pin)
8:钝化层掩膜,在其上刻测试孔,但无需引出。
以上只能了解一个大概,如想亲自动手设计,就应清楚画出每一步的掩膜形状,这时就要你讲清其”设计规则“才行,即各块掩膜的大小尺寸及相互间距!
以下介绍:
p肼CMOS工艺
【参考web资源】
1. http://wenku.baidu.com/link?url=0FysVwdSBqLgR18aNYCmL59oMERM2RxSBoChsGYmaOiGtefKXEyxz6KR_UbCKZY0lSjeeM9Vqdq7PfdcV60CQnk5IUPZxO3VHxyHMjw4Ibu
2.http://amuseum.cdstm.cn/AMuseum/ic/index_04_05_01_02.html
3.http://www.doc88.com/p-3002264366238.html
对Layout图的说明的更详细点的改写:
画着灰色方格的底图代表p型衬底,在其上需要用各种掩膜依次作8次光刻:
1:紫色最大块:N阱(n-type well),用来光刻右上3D剖面图中最下面的一块区域;
a:紫色中的橘红色方块:p+扩散, 用于制作n晶体管的有源区(Wp为阱宽度),中间被夹着连接输入端IN的长红条分开,就形成上面的晶体管;
b:p衬底上的草绿色方块:n+扩散(diff),用于制作p晶体管的有源区(Wn为阱宽度),中间被夹着连接输入端IN的长红条分开,就形成下面的晶体管;
3:红色横条连最长竖条:多晶硅(poly),连接到反相器输入端IN和两晶体管栅极(Lp、Ln为多晶硅长度),
4:左上部蓝色:金属(metal),连接PMOS晶体管源极(S)到VDD;
左下部蓝色:同上,连接NMOS晶体管源栅漏到地GND;
5:右边蓝色:同上,将晶体管输出端OUT引出;
6:灰色打x和画有口的为接触点(contact)分别使金属与p或n扩散相连
7:作金属掩膜,并刻出要外联的点到引线脚(pin)
8:钝化层掩膜,在其上刻测试孔,但无需引出。
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